WEKO3
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Material-Mechanistic Interplay in SiCN Wafer Bonding for 3D Integration
http://hdl.handle.net/10131/0002001975
http://hdl.handle.net/10131/0002001975ebcdd187-2dbd-4788-bb34-44130276c9a9
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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kitagawa-et-al-2025-material-mechanistic-interplay-in-sicn-wafer-bonding-for-3d-integration.pdf (7.5 MB)
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.png)
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| Item type | デフォルトアイテムタイプ（フル）(1) | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2025-07-08 | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | Material-Mechanistic Interplay in SiCN Wafer Bonding for 3D Integration | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 作成者 |
Kitagawa, Hayato
× Kitagawa, Hayato× Sato, Ryosuke
× Ebiko, Sodai
× Nagata, Atsushi
× Ahn, Chiwoo
× Kim, Yeounsoo
× Kang, Jiho
× Uedono, Akira× Inoue, Fumihiro |
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| アクセス権 | ||||||||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 権利情報Resource | https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | |||||||||||||||||
| 権利情報 | Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International | |||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||
| 内容記述 | Wafer bonding is a step in processing of state-of-theartintegration architectures in CMOS devices. Sufficiently high bonding strength and low distortion with high alignment accuracy are essential to realize these device structures. A challenge in realizing advanced architectures is reducing the thermal history associated with the bonding process. Although much research has been conducted on wafer bonding methods compatible with the latest semiconductor manufacturing processes, discussions on the interface mechanisms during low temperature annealing have been insufficient. In this study, plasma-activated bonding was carried out using SiCN, which is a major bonding dielectric material. The bonding strength and water remaining at the interface were subsequently evaluated. We found that a SiCN film achieved greater bonding strength after post bond annealing at a low temperature of 250 °C and completely consumed the interfacial water. Analyses of the surface and interface revealed the carbon bonding leads to great bonding interface by low-temperature annealing. | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||
| 出版者 | American Chemical Society | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1021/acsomega.5c03628 | |||||||||||||||||
| 助成情報 | ||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | e-Rad_funder | |||||||||||||||||
| 助成機関識別子タイプURI | https://www.e-rad.go.jp/datasets/files/haibunkikan.csv | |||||||||||||||||
| 助成機関識別子 | 1025 | |||||||||||||||||
| 助成機関名 | Japan Society for the Promotion of Science | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 助成機関名 | 独立行政法人日本学術振興会 | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| プログラム情報 | 科学研究費助成事業 | |||||||||||||||||
| 研究課題番号URI | https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-23K26388/ | |||||||||||||||||
| 研究課題番号 | JP23K26388 | |||||||||||||||||
| 研究課題番号タイプ | JGN | |||||||||||||||||
| 研究課題名 | 原子層堆積ハイブリッド表面の局所ダイナミクスの解明と3Dヘテロデバイスへの応用 | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| 助成情報 | ||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | e-Rad_funder | |||||||||||||||||
| 助成機関識別子タイプURI | https://www.e-rad.go.jp/datasets/files/haibunkikan.csv | |||||||||||||||||
| 助成機関識別子 | 1020 | |||||||||||||||||
| 助成機関名 | Japan Science and Technology Agency | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 助成機関名 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| プログラム情報 | Strategic Basic Research Programs PRESTO | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| プログラム情報 | 戦略的創造研究推進事業 さきがけ | |||||||||||||||||
| 研究課題番号URI | https://doi.org/10.52926/JPMJPR22B3 | |||||||||||||||||
| 研究課題番号 | JPMJPR22B3 | |||||||||||||||||
| 研究課題番号タイプ | JGN | |||||||||||||||||
| 研究課題名 | 3Dチップレット型ヘテロ量子デバイスの創生 | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 2470-1343 | |||||||||||||||||
| 収録物名 | ||||||||||||||||||
| 収録物名 | ACS Omega | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 巻 | ||||||||||||||||||
| 巻 | 10 | |||||||||||||||||
| 号 | ||||||||||||||||||
| 号 | 25 | |||||||||||||||||
| ページ数 | ||||||||||||||||||
| ページ数 | 10 | |||||||||||||||||
| 開始ページ | ||||||||||||||||||
| 開始ページ | 27575 | |||||||||||||||||
| 終了ページ | ||||||||||||||||||
| 終了ページ | 27584 | |||||||||||||||||
| 日付 | ||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-06-23 | |||||||||||||||||
| 日付タイプ | Issued | |||||||||||||||||
